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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
40
周辺 -21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
33
読み出し速度、GB/s
12.3
18.5
書き込み速度、GB/秒
8.9
13.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
3341
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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