RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 30
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2595

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
メモリRAM