RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
比較する
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
総合得点
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
36
周辺 25% 低遅延
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.1
12.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
36
読み出し速度、GB/s
12.2
17.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1763
3009
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB RAMの比較
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link