RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3009
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link