RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Inmos + 256MB

総合得点
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11.5
    テスト平均値
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 63
    周辺 -110% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 5300
    周辺 3.17 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2318

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

Inmos + 256MB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
メモリRAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
メモリRAM