STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Inmos + 256MB

Pontuação geral

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Pontuação geral

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 11.5

Valor médio nos testes

Inmos + 256MB

Razões a considerar
Inmos + 256MB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 63

Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.1 1,447.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

16800 5300

Por volta de 3.17 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Inmos + 256MB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

63 30
Velocidade de leitura, GB/s

3,231.0 11.5
Velocidade de escrita, GB/s

1,447.3 9.1
Largura de banda de memória, mbps

5300 16800

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

478 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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