RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
5300
Около 3.17 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
16800
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2318
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link