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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
87
周辺 -335% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
20
読み出し速度、GB/s
3,155.6
19.2
書き込み速度、GB/秒
870.4
14.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
3326
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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