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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
19.2
写入速度,GB/s
870.4
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3326
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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