RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 16.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 87
    周辺 -248% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 16.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 3849

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
メモリRAM
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
メモリRAM