Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6

レビューRAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6, 仕様、ベンチマーク

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6 メモリモジュールレビュー. 主な技術特性およびPassMarkによるベンチマーク性能評価. すべてのデータを研究し、競合モデルと比較することをお勧めします。

仕様

技術仕様の完全リスト
特徴
  • Type
    DDR3
  • 名称
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6MFR8C-PB
  • 特徴
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • メモリ帯域幅
    12800 mbps
  • タイミング / クロック速度

    * メーカーホームページをご確認ください。

    9-9-9-24 / 1600 MHz
パスマークによるパフォーマンス
  • レイテンシー
    29 ns
  • 読み取り速度
    13.3 GB/s
  • 書き込み速度
    9.3 GB/s
# 1066 1333 1600 1866 2000 2133 2400 2600 2666 2800 2933 3000 3100 3200 MT/s
7 13.13 10.50 8.75 7.50 7.00 6.56 5.83 5.38 5.25 5.00 4.77 4.67 4.52 4.38
8 15.01 12.00 10.00 8.57 8.00 7.50 6.67 6.15 6.00 5.71 5.46 5.33 5.16 5.00
9 16.89 13.50 11.25 9.65 9.00 8.44 7.50 6.92 6.75 6.43 6.14 6.00 5.81 5.63
10 18.76 15.00 12.50 10.72 10.00 9.38 8.33 7.69 7.50 7.14 6.82 6.67 6.45 6.25
11 20.64 16.50 13.75 11.79 11.00 10.31 9.17 8.46 8.25 7.86 7.50 7.33 7.10 6.88
12 22.51 18.00 15.00 12.86 12.00 11.25 10.00 9.23 9.00 8.57 8.18 8.00 7.74 7.50
13 24.39 19.50 16.25 13.93 13.00 12.19 10.83 10.00 9.75 9.29 8.86 8.67 8.39 8.13
14 26.27 21.01 17.50 15.01 14.00 13.13 11.67 10.77 10.50 10.00 9.55 9.33 9.03 8.75
15 28.14 22.51 18.75 16.08 15.00 14.06 12.50 11.54 11.25 10.71 10.23 10.00 9.68 9.38
16 30.02 24.01 20.00 17.15 16.00 15.00 13.33 12.31 12.00 11.43 10.91 10.67 10.32 10.00
CL

CASレイテンシは、データの読み出し要求から、その情報が利用可能になるまでのクロックサイクル数を測定します

性能試験

実機テスト Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6
リード・アンキャッシュ転送速度
キャッシュを使用しない場合の平均メモリ読込時間
RAMを評価する
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