RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony -262% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3866
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link