RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony -262% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3866
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link