RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
4084
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link