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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
26
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
4084
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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