RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3409
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link