RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1886
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link