RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3100
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link