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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
41
读取速度,GB/s
4,937.3
14.0
写入速度,GB/s
2,061.2
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3100
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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