RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2505
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link