RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2935
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link