RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2349
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link