RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2349
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-1600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link