RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
79
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
79
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1651
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link