RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3485
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link