RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3648
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link