RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3708
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link