RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2955
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link