RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2792
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link