RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
85
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1118
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link