RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3814
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link