Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    18 left arrow 41
    Por volta de -128% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.4 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    17.2 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 18
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 20.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.7 left arrow 17.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2366 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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