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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
41
Autour de -128% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
18
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
3814
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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