RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3247
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link