RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
37
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
37
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
1949
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link