RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
38
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
38
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3206
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link