RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2611
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link