RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
34
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
34
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2565
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link