RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1897
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link