RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3568
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link