RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2831
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link