RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
76
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
76
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1809
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link