RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2875
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link