RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3733
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link