RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
50
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2326
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link