RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2370
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link