RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2620
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link