RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
60
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2511
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link