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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
60
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
60
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2511
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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