RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
16.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
27
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
3909
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link