RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3372
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link