RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1768
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link